K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 对比

详细并排对比 K4A8G165WB-BIRC 出自 Samsung Electronics 和 MT41K256M16HA-125 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps

K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps

K4A8G165WB-BIRC ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A8G165WB-BIRC MT41K256M16HA-125
品牌 Samsung Electronics Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $39.50 $6.36
存储器类型 DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8 Gbit —
存储组织 512M x 16 —
数据速率 2400 Mbps —
电源电压 1.2 V 1.35 V
工作温度范围 -40°C to +95°C —
封装 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
接口 16-bit —
DLL Enabled Mode Yes —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Burst Length 8, 16 —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
Bank Count 16 banks —
RoHS Compliant Yes —
存储容量 — 4Gbit (256M x 16)
数据总线宽度 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
引脚数 — 96
安装类型 — Surface Mount
工作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 状态 — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
CAS 延迟 — 11

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