K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 比較

詳細な並列比較: K4A8G165WB-BIRC メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16HA-125 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps

K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps

K4A8G165WB-BIRC ✓ 生産中
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G165WB-BIRC MT41K256M16HA-125
ブランド Samsung Electronics Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $39.50 $6.36
メモリタイプ DDR4 SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 —
データレート 2400 Mbps —
電源電圧 1.2 V 1.35 V
動作温度範囲 -40°C to +95°C —
パッケージ 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
インターフェース 16-bit —
DLL Enabled Mode Yes —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Burst Length 8, 16 —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
Bank Count 16 banks —
RoHS Compliant Yes —
メモリサイズ — 4Gbit (256M x 16)
データバス幅 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
ピン数 — 96
実装タイプ — Surface Mount
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C
CASレイテンシ — 11

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