K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BIRC por Samsung Electronics e MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BIRC | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $39,50 | $6,36 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 8 Gbit | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | — |
| Taxa de dados | 2400 Mbps | — |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.35 V |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Interface | 16-bit | — |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Tamanho da memória | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Número de pinos | — | 96 |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Latência CAS | — | 11 |