K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646E-BYMATCV von Samsung Electronics und IS43TR16256AL-107MBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AktivISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $6,00 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| Datenrate | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C (case) |
| Montageart | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |