K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BYMATCV 제조: Samsung Electronics 및 IS43TR16256AL-107MBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.90 | $6.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| 핀 수 | 96 | — |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 동작 온도 | — | 0°C to +95°C (case) |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |