K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYMATCV por Samsung Electronics y IS43TR16256AL-107MBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActivoISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,90 | $6,00 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| Número de pines | 96 | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Interfaz | — | Parallel |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (case) |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |