K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BYMATCV от Samsung Electronics и IS43TR16256AL-107MBL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ АктивенISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,90 | $6,00 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| Количество выводов | 96 | — |
| Диапазон рабочих температур | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Задержка CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Организация памяти | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Рабочая температура | — | 0°C to +95°C (case) |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |