K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYMATCV par Samsung Electronics et IS43TR16256AL-107MBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActifISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $6,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| Débit de données | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (case) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |