K4B4G1646E-BYMATCV vs IS43TR16256AL-107MBL 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYMATCV メーカー: Samsung Electronics および IS43TR16256AL-107MBL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYMATCV | IS43TR16256AL-107MBL |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.90 | $6.00 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| データレート | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13 mm) |
| ピン数 | 96 | — |
| 動作温度範囲 | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 13 |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| インターフェース | — | Parallel |
| 動作温度 | — | 0°C to +95°C (case) |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |