K4RAH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH165VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RHE165VB-BCWM von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ AktivSamsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH165VB-BCQK | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Datenrate | 4800 Mbps | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| Eigenschaften | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0 to 85 C |
| Gehäuse | 106-ball FBGA | 106 FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 24 Gb (3 GB) |
| Speicherorganisation | — | 1G x 16 |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V |
| Product Status | — | Mass Production |
| Schnittstelle | — | DDR5 (parallel, DDR) |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |