K4RAH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4RAH165VB-BCQK por Samsung Electronics e K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4RAH165VB-BCQK K4RHE165VB-BCWM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memória DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Taxa de dados 4800 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
Recursos Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
Temperatura de operação 0C to +85C 0 to 85 C
Encapsulamento 106-ball FBGA 106 FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA)
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
Status do ciclo de vida Active —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 24 Gb (3 GB)
Organização da memória — 1G x 16
Tensão de alimentação — 1.1 V
Product Status — Mass Production
Interface — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação