K4RAH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM 比較

詳細な並列比較: K4RAH165VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics および K4RHE165VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH165VB-BCQK K4RHE165VB-BCWM
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $0.00
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
データレート 4800 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
特長 Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
動作温度 0C to +85C 0 to 85 C
パッケージ 106-ball FBGA 106 FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
ライフサイクル状態 Active —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 24 Gb (3 GB)
メモリ構成 — 1G x 16
電源電圧 — 1.1 V
Product Status — Mass Production
インターフェース — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

データシート&リソース

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