K4RAH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BCQK par Samsung Electronics et K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RAH165VB-BCQK K4RHE165VB-BCWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Débit de données 4800 Mbps 5600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Error Correction On-die ECC —
Caractéristiques Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration —
Température de fonctionnement 0C to +85C 0 to 85 C
Boîtier 106-ball FBGA 106 FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Memory Format DRAM (volatile) —
Packaging Tray —
Statut du cycle de vie Active —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Unit Price [DATA_NEEDED: unit price] —
Density — 24 Gb (3 GB)
Organisation de la mémoire — 1G x 16
Tension d'alimentation — 1.1 V
Product Status — Mass Production
Interface — DDR5 (parallel, DDR)
Access Type — Synchronous
Clock Rate (nominal) — 2800 MHz (5600 MT/s DDR)
Ball Count — 106
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity]

Fiches techniques et ressources

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