K4RAH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4RAH165VB-BCQK 제조: Samsung Electronics 및 K4RHE165VB-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4RAH165VB-BCQK | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| 메모리 크기 | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| 데이터 속도 | 4800 Mbps | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| 특징 | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | 0 to 85 C |
| 패키지 | 106-ball FBGA | 106 FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 24 Gb (3 GB) |
| 메모리 구성 | — | 1G x 16 |
| 공급 전압 | — | 1.1 V |
| Product Status | — | Mass Production |
| 인터페이스 | — | DDR5 (parallel, DDR) |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |