K4RAH165VB-BCQK vs K4RHE165VB-BCWM Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RAH165VB-BCQK от Samsung Electronics и K4RHE165VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ АктивенSamsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4RAH165VB-BCQK | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Размер памяти | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Скорость передачи данных | 4800 Mbps | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Error Correction | On-die ECC | — |
| Особенности | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration | — |
| Рабочая температура | 0C to +85C | 0 to 85 C |
| Корпус | 106-ball FBGA | 106 FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Статус жизненного цикла | Active | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Unit Price | [DATA_NEEDED: unit price] | — |
| Density | — | 24 Gb (3 GB) |
| Организация памяти | — | 1G x 16 |
| Напряжение питания | — | 1.1 V |
| Product Status | — | Mass Production |
| Интерфейс | — | DDR5 (parallel, DDR) |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |