MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-107:E von Micron Technology und K4B4G1646D-BFMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,00 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.5V |
| Gehäuse | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Datenrate | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS-Latenz | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| Halogenfrei | — | Yes |