MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-107:E por Micron Technology y K4B4G1646D-BFMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,00 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.5V |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Número de pines | 96 | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latencia CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| Sin halógenos | — | Yes |