MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA 比較
詳細な並列比較: MT41K256M16HA-107:E メーカー: Micron Technology および K4B4G1646D-BFMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.00 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| メモリサイズ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 電源電圧 | 1.35V | 1.5V |
| パッケージ | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| 動作温度 | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| インターフェース | Parallel | — |
| データレート | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ピン数 | 96 | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CASレイテンシ | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| ハロゲンフリー | — | Yes |