MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-107:E 제조: Micron Technology 및 K4B4G1646D-BFMA 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.00 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.5V |
| 패키지 | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 데이터 속도 | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 핀 수 | 96 | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 레이턴시 | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes |