MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16HA-107:E от Micron Technology и K4B4G1646D-BFMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,00 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Напряжение питания | 1.35V | 1.5V |
| Корпус | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Рабочая температура | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Скорость передачи данных | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Количество выводов | 96 | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Задержка CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| Без галогенов | — | Yes |