MT41K256M16HA-107:E vs K4B4G1646D-BFMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-107:E par Micron Technology et K4B4G1646D-BFMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16HA-107:E | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,00 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.5V |
| Boîtier | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Débit de données | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latence CAS | 13 (typical) | Programmable |
| Density | — | 4Gb |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |