NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT6AN8T0SA von Nanya Technology und K4A8G085WB-BIWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,88 | $6,50 |
| Speichertyp | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Speicherorganisation | 64M x 32 | — |
| Versorgungsspannung | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Datenrate | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| Betriebstemperaturbereich | -30°C to +85°C | — |
| Gehäuse | FBGA | 78-FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Halogenfrei | — | Yes |