NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT6AN8T0SA от Nanya Technology и K4A8G085WB-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,88 | $6,50 |
| Тип памяти | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Организация памяти | 64M x 32 | — |
| Напряжение питания | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Скорость передачи данных | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| Диапазон рабочих температур | -30°C to +85°C | — |
| Корпус | FBGA | 78-FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Размер памяти | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Рабочая температура | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Без галогенов | — | Yes |