NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: NT6AN8T0SA メーカー: Nanya Technology および K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.88 | $6.50 |
| メモリタイプ | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| メモリ構成 | 64M x 32 | — |
| 電源電圧 | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| データレート | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| 動作温度範囲 | -30°C to +85°C | — |
| パッケージ | FBGA | 78-FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| 動作温度 | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| ハロゲンフリー | — | Yes |