NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT6AN8T0SA por Nanya Technology y K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,88 | $6,50 |
| Tipo de memoria | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Organización de memoria | 64M x 32 | — |
| Tensión de alimentación | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Velocidad de datos | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -30°C to +85°C | — |
| Encapsulado | FBGA | 78-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Sin halógenos | — | Yes |