NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT6AN8T0SA par Nanya Technology et K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,88 | $6,50 |
| Type de mémoire | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 | — |
| Tension d'alimentation | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Débit de données | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| Plage de température de fonctionnement | -30°C to +85°C | — |
| Boîtier | FBGA | 78-FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Sans halogène | — | Yes |