NT6AN8T0SA vs K4A8G085WB-BIWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT6AN8T0SA por Nanya Technology e K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | NT6AN8T0SA | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,88 | $6,50 |
| Tipo de memória | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Organização da memória | 64M x 32 | — |
| Tensão de alimentação | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Taxa de dados | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 Mbps |
| Faixa de temperatura de operação | -30°C to +85°C | — |
| Encapsulamento | FBGA | 78-FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Temperatura de operação | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Livre de halogênio | — | Yes |