STBV45 vs STBV45-AP Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von STBV45 von STMicroelectronics und STBV45-AP von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter STBV45 STBV45-AP
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie Transistors Transistors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,31 $0,16
Transistortyp NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo) 400 V [DATA_NEEDED: VCBO value]
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 400 V 400 V
Emitter-Basis-Spannung (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO rating] [DATA_NEEDED: VEBO value]
Continuous Collector Current (IC) 750 mA 0.75 A
Power Dissipation (Pd) 950 mW —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: minimum hFE value] [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max]
Übergangsfrequenz (ft) [DATA_NEEDED: fT value] [DATA_NEEDED: fT]
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: junction temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max]
Gehäuse TO-92-3 (through-hole) TO-92AP (Ammopack, radial leads)
Pinout Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard) —
Montageart Through Hole Through-Hole (Ammopack tape)
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Technology Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter
Peak Collector Current — [DATA_NEEDED: ICM value]
Total Power Dissipation (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot at 25C]
Switching Speed — Very high (fast-switching grade)
Reverse Bias SOA — Wide RBSOA per datasheet

Datenblätter & Ressourcen

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