STBV45 vs STBV45-AP 비교
다음의 상세 나란히 비교: STBV45 제조: STMicroelectronics 및 STBV45-AP 제조: STMicroelectronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
STMicroelectronics
STBV45 - 400V NPN High-Voltage Fast-Switching BJT | STMicroelectronics
STBV45 ✓ 활성STMicroelectronics
STBV45-AP - 400V NPN High-Voltage Fast-Switch Transistor | STMicroelectronics
STBV45-AP ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | STBV45 | STBV45-AP |
|---|---|---|
| 브랜드 | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 카테고리 | Transistors | Transistors |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.31 | $0.16 |
| 트랜지스터 유형 | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| 컬렉터-베이스 전압 (Vcbo) | 400 V | [DATA_NEEDED: VCBO value] |
| 컬렉터-이미터 전압 (Vceo) | 400 V | 400 V |
| 이미터-베이스 전압 (Vebo) | [DATA_NEEDED: VEBO rating] | [DATA_NEEDED: VEBO value] |
| Continuous Collector Current (IC) | 750 mA | 0.75 A |
| Power Dissipation (Pd) | 950 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) | [DATA_NEEDED: minimum hFE value] | [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max] |
| 전이 주파수 (ft) | [DATA_NEEDED: fT value] | [DATA_NEEDED: fT] |
| 컬렉터-이미터 포화 전압 (Vce(sat)) | [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| 패키지 | TO-92-3 (through-hole) | TO-92AP (Ammopack, radial leads) |
| Pinout | Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard) | — |
| 실장 유형 | Through Hole | Through-Hole (Ammopack tape) |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| Technology | Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure | High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter |
| Peak Collector Current | — | [DATA_NEEDED: ICM value] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at 25C] |
| Switching Speed | — | Very high (fast-switching grade) |
| Reverse Bias SOA | — | Wide RBSOA per datasheet |