STBV45 vs STBV45-AP Сравнение

Подробное сравнение бок о бок STBV45 от STMicroelectronics и STBV45-AP от STMicroelectronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

STMicroelectronics
STBV45 STBV45 - 400V NPN High-Voltage Fast-Switching BJT | STMicroelectronics

STBV45 - 400V NPN High-Voltage Fast-Switching BJT | STMicroelectronics

STBV45 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр STBV45 STBV45-AP
Бренд STMicroelectronics STMicroelectronics
Категория Transistors Transistors
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,31 $0,16
Тип транзистора NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Напряжение коллектор-база (Vcbo) 400 V [DATA_NEEDED: VCBO value]
Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) 400 V 400 V
Напряжение эмиттер-база (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO rating] [DATA_NEEDED: VEBO value]
Continuous Collector Current (IC) 750 mA 0.75 A
Power Dissipation (Pd) 950 mW —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: minimum hFE value] [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max]
Граничная частота (ft) [DATA_NEEDED: fT value] [DATA_NEEDED: fT]
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] —
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: junction temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max]
Корпус TO-92-3 (through-hole) TO-92AP (Ammopack, radial leads)
Pinout Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard) —
Тип монтажа Through Hole Through-Hole (Ammopack tape)
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Technology Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter
Peak Collector Current — [DATA_NEEDED: ICM value]
Total Power Dissipation (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot at 25C]
Switching Speed — Very high (fast-switching grade)
Reverse Bias SOA — Wide RBSOA per datasheet

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену