STBV45 vs STBV45-AP Comparação

Comparação detalhada lado a lado de STBV45 por STMicroelectronics e STBV45-AP por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro STBV45 STBV45-AP
Marca STMicroelectronics STMicroelectronics
Categoria Transistors Transistors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,31 $0,16
Tipo de transistor NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Tensão coletor-base (Vcbo) 400 V [DATA_NEEDED: VCBO value]
Tensão coletor-emissor (Vceo) 400 V 400 V
Tensão emissor-base (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO rating] [DATA_NEEDED: VEBO value]
Continuous Collector Current (IC) 750 mA 0.75 A
Power Dissipation (Pd) 950 mW —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: minimum hFE value] [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max]
Frequência de transição (ft) [DATA_NEEDED: fT value] [DATA_NEEDED: fT]
Tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max]
Encapsulamento TO-92-3 (through-hole) TO-92AP (Ammopack, radial leads)
Pinout Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard) —
Tipo de montagem Through Hole Through-Hole (Ammopack tape)
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Technology Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter
Peak Collector Current — [DATA_NEEDED: ICM value]
Total Power Dissipation (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot at 25C]
Switching Speed — Very high (fast-switching grade)
Reverse Bias SOA — Wide RBSOA per datasheet

Fichas técnicas e recursos

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