STBV45 vs STBV45-AP Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de STBV45 par STMicroelectronics et STBV45-AP par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
STMicroelectronics
STBV45 - 400V NPN High-Voltage Fast-Switching BJT | STMicroelectronics
STBV45 ✓ ActifSTMicroelectronics
STBV45-AP - 400V NPN High-Voltage Fast-Switch Transistor | STMicroelectronics
STBV45-AP ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | STBV45 | STBV45-AP |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Catégorie | Transistors | Transistors |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,31 | $0,16 |
| Type de transistor | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Tension collecteur-base (Vcbo) | 400 V | [DATA_NEEDED: VCBO value] |
| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 400 V | 400 V |
| Tension émetteur-base (Vebo) | [DATA_NEEDED: VEBO rating] | [DATA_NEEDED: VEBO value] |
| Continuous Collector Current (IC) | 750 mA | 0.75 A |
| Power Dissipation (Pd) | 950 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) | [DATA_NEEDED: minimum hFE value] | [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max] |
| Fréquence de transition (ft) | [DATA_NEEDED: fT value] | [DATA_NEEDED: fT] |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| Boîtier | TO-92-3 (through-hole) | TO-92AP (Ammopack, radial leads) |
| Pinout | Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard) | — |
| Type de montage | Through Hole | Through-Hole (Ammopack tape) |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| Technology | Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure | High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter |
| Peak Collector Current | — | [DATA_NEEDED: ICM value] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at 25C] |
| Switching Speed | — | Very high (fast-switching grade) |
| Reverse Bias SOA | — | Wide RBSOA per datasheet |