STW45NM50 vs IRFP260MPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von STW45NM50 von STMicroelectronics und IRFP260MPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter STW45NM50 IRFP260MPBF
Marke STMicroelectronics Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,55 $2,85
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C -55C to +175C
Gehäuse TO-247 —
Montageart Through Hole Through Hole
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
Gehäuse / Bauform — TO-247AC (3-lead through-hole)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
MSL-Level — Not Applicable (through-hole)

Datenblätter & Ressourcen

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