STW45NM50 vs IRFP260MPBF 比較

詳細な並列比較: STW45NM50 メーカー: STMicroelectronics および IRFP260MPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

STMicroelectronics
STW45NM50 STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 - 45A, 500V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW45NM50 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ STW45NM50 IRFP260MPBF
ブランド STMicroelectronics Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.55 $2.85
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C -55C to +175C
パッケージ TO-247 —
実装タイプ Through Hole Through Hole
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
パッケージ / ケース — TO-247AC (3-lead through-hole)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
MSLレベル — Not Applicable (through-hole)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼