STW45NM50 vs IRFP260MPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de STW45NM50 por STMicroelectronics y IRFP260MPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro STW45NM50 IRFP260MPBF
Marca STMicroelectronics Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,55 $2,85
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C -55C to +175C
Encapsulado TO-247 —
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
Encapsulado / Carcasa — TO-247AC (3-lead through-hole)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
Nivel MSL — Not Applicable (through-hole)

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