STW45NM50 vs IRFP260MPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: STW45NM50 제조: STMicroelectronics 및 IRFP260MPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | STW45NM50 | IRFP260MPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | STMicroelectronics | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.55 | $2.85 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 500 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 45 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 180 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.09 ohm | — |
| Gate Charge (Qg) | 120 nC | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 1.2 J | — |
| Power Dissipation (PD) | 450 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55°C to +150°C | -55C to +175C |
| 패키지 | TO-247 | — |
| 실장 유형 | Through Hole | Through Hole |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 40 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Input Capacitance Ciss | — | 1560 pF |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| 패키지 / 케이스 | — | TO-247AC (3-lead through-hole) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| MSL 레벨 | — | Not Applicable (through-hole) |