STW45NM50 vs IRFP260MPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de STW45NM50 par STMicroelectronics et IRFP260MPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre STW45NM50 IRFP260MPBF
Marque STMicroelectronics Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,55 $2,85
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 500 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 45 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.09 ohm —
Gate Charge (Qg) 120 nC —
Avalanche Energy (EAS) 1.2 J —
Power Dissipation (PD) 450 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +175C
Boîtier TO-247 —
Type de montage Through Hole Through Hole
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max — 40 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Input Capacitance Ciss — 1560 pF
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg]
Boîtier / Format — TO-247AC (3-lead through-hole)
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
Niveau MSL — Not Applicable (through-hole)

Fiches techniques et ressources

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