W634GU6RB-11TR vs H5TC4G63CFR-H9A Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von W634GU6RB-11TR von Winbond und H5TC4G63CFR-H9A von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | W634GU6RB-11TR | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $32,00 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Datenrate | 1866 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V (1.5V compatible) | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C | — |
| CAS-Latenz | 13 | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Betriebstemperaturbereich | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |