W634GU6RB-11TR vs H5TC4G63CFR-H9A Comparación
Comparación detallada lado a lado de W634GU6RB-11TR por Winbond y H5TC4G63CFR-H9A por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | W634GU6RB-11TR | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $32,00 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V (1.5V compatible) | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Latencia CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |