W634GU6RB-11TR vs H5TC4G63CFR-H9A 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB-11TR 제조: Winbond 및 H5TC4G63CFR-H9A 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB-11TR | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $32.00 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1866 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Access Time | 20 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35V (1.5V compatible) | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | — |
| CAS 레이턴시 | 13 | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |