W634GU6RB-11TR vs H5TC4G63CFR-H9A Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB-11TR par Winbond et H5TC4G63CFR-H9A par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB-11TR | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $32,00 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Débit de données | 1866 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.5V compatible) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Latence CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |