W634GU6RB-11TR vs H5TC4G63CFR-H9A Сравнение
Подробное сравнение бок о бок W634GU6RB-11TR от Winbond и H5TC4G63CFR-H9A от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | W634GU6RB-11TR | H5TC4G63CFR-H9A |
|---|---|---|
| Бренд | Winbond | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $32,00 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 1866 MT/s | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)] |
| Access Time | 20 ns | — |
| Напряжение питания | 1.35V (1.5V compatible) | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Корпус | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C | — |
| Задержка CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Memory Density | — | 4Gb (4294967296 bit) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Differential Clock Inputs | — | Yes (CK, CK) |
| Differential Data Strobe | — | Yes (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM (Data Mask) | — | Yes |