W634GU6RB-11TR vs H5TC4G63CFR-H9A 比較

詳細な並列比較: W634GU6RB-11TR メーカー: Winbond および H5TC4G63CFR-H9A メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Winbond
W634GU6RB-11TR W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Winbond

W634GU6RB-11TR ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ W634GU6RB-11TR H5TC4G63CFR-H9A
ブランド Winbond SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $32.00 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリサイズ 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
データレート 1866 MT/s [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
Access Time 20 ns —
電源電圧 1.35V (1.5V compatible) —
インターフェース Parallel —
パッケージ 96-VFBGA (7.5x13 mm) 96-ball TFBGA
動作温度 -40°C to +95°C —
CASレイテンシ 13 [DATA_NEEDED: CAS latency]
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
実装タイプ Surface Mount —
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic ODT Yes —
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

データシート&リソース

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