W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von W634GU6RB09J von Winbond und K4B4G1646D-BYK00 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $7,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Datenrate | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| CAS-Latenz | 20 ns | Programmable |
| Gehäuse | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |