W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de W634GU6RB09J por Winbond e K4B4G1646D-BYK00 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $8,10 | $7,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Taxa de dados | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Latência CAS | 20 ns | Programmable |
| Encapsulamento | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| Interface | Parallel | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Livre de halogênio | Yes | Yes |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Número de pinos | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |