W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 比較
詳細な並列比較: W634GU6RB09J メーカー: Winbond および K4B4G1646D-BYK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| ブランド | Winbond | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.10 | $7.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| データレート | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| 電源電圧 | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| CASレイテンシ | 20 ns | Programmable |
| パッケージ | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| インターフェース | Parallel | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| ハロゲンフリー | Yes | Yes |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| ピン数 | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |