W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB09J 제조: Winbond 및 K4B4G1646D-BYK00 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.10 | $7.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 데이터 속도 | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| CAS 레이턴시 | 20 ns | Programmable |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |