W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de W634GU6RB09J por Winbond y K4B4G1646D-BYK00 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $7,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Latencia CAS | 20 ns | Programmable |
| Encapsulado | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| Interfaz | Parallel | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |