W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB09J par Winbond et K4B4G1646D-BYK00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $7,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Débit de données | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Latence CAS | 20 ns | Programmable |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| Interface | Parallel | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |