W634GU6RB09J vs K4B4G1646D-BYK00 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок W634GU6RB09J от Winbond и K4B4G1646D-BYK00 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | W634GU6RB09J | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Бренд | Winbond | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,10 | $7,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Скорость передачи данных | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps |
| Напряжение питания | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Задержка CAS | 20 ns | Programmable |
| Корпус | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-ball TFBGA |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Количество выводов | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |